188、LLC谐振变换器的样机调试实战（EMI测试）一、从一次EMI超标说起去年做一款300W的LLC电源，样机功能测试一切正常，效率93%，温升也OK，心里美滋滋准备送样。结果EMI预扫一上，150kHz到1MHz之间直接炸了——传导发射超标12dB，那个尖峰像一把刀插在报告上。拆开屏蔽罩，盯着板子看了半小时。LLC的谐振电流波形在示波器上看着挺干净，怎么EMI这么差？后来发现是谐振电容的安装位置离MOSFET太远，环路面积大得能跑马。这个坑，今天必须写下来。二、LLC的EMI“原罪”在哪LLC拓扑的EMI问题，和硬开关拓扑不太一样。硬开关的EMI主要来自开关管的电压电流尖峰，而LLC的EMI有两个“隐藏BOSS”：第一个是谐振腔的共模电流。LLC的变压器原副边之间寄生电容，在谐振频率附近会被高频电压激励，形成共模回路。这个电流不走常规路径，直接通过变压器耦合到副边，再从输出线缆辐射出去。你测到的150kHz-500kHz的包络，十有八九是它。第二个是死区时间的振铃。LLC在死区时间内，谐振电流给MOSFET结电容充放电，这个过程中会产生高频振荡。频率通常在10MHz-30MHz，幅度不大但频率高，辐射能力强。我见过一个案例，死区时间设得太短，MOSFET的Coss没完全放电就开通，那个振铃直接让30MHz频点超标。三、调试EMI的“三板斧” 188、LLC谐振变换器的样机调试实战（EMI测试）
188、LLC谐振变换器的样机调试实战（EMI测试）一、从一次EMI超标说起去年做一款300W的LLC电源，样机功能测试一切正常，效率93%，温升也OK，心里美滋滋准备送样。结果EMI预扫一上，150kHz到1MHz之间直接炸了——传导发射超标12dB，那个尖峰像一把刀插在报告上。拆开屏蔽罩，盯着板子看了半小时。LLC的谐振电流波形在示波器上看着挺干净，怎么EMI这么差？后来发现是谐振电容的安装位置离MOSFET太远，环路面积大得能跑马。这个坑，今天必须写下来。二、LLC的EMI“原罪”在哪LLC拓扑的EMI问题，和硬开关拓扑不太一样。硬开关的EMI主要来自开关管的电压电流尖峰，而LLC的EMI有两个“隐藏BOSS”：第一个是谐振腔的共模电流。LLC的变压器原副边之间寄生电容，在谐振频率附近会被高频电压激励，形成共模回路。这个电流不走常规路径，直接通过变压器耦合到副边，再从输出线缆辐射出去。你测到的150kHz-500kHz的包络，十有八九是它。第二个是死区时间的振铃。LLC在死区时间内，谐振电流给MOSFET结电容充放电，这个过程中会产生高频振荡。频率通常在10MHz-30MHz，幅度不大但频率高，辐射能力强。我见过一个案例，死区时间设得太短，MOSFET的Coss没完全放电就开通，那个振铃直接让30MHz频点超标。三、调试EMI的“三板斧”